消息称美光广岛工厂扩建明年中启动，提升HBM内存交付能力

IT之家 12 月 1 日消息，《日经亚洲》上月末报道称，Micron 美光扩建日本广岛县东广岛市 DRAM 工厂的施工将于 2026 年 5 月启动，目标 2028 年实现 HBM 内存出货。

日本经济产业省今年 9 月曾宣布向该工厂提供合计最多 5360 亿日元的补贴（IT之家注：现汇率约合 242.99 亿元人民币），美光则承诺将在该基地的产能扩充上投资 1.5 万亿日元（现汇率约合 680.01 亿元人民币）。

尽管美光今年曾一度位居 HBM 出货量第二，但其整体目标仍是在 HBM 领域实现与整体 DRAM 相当的占比。该企业同时也在美国本土积极扩产，计划未来 20 年建成 6 座 DRAM 晶圆厂。